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长沙超高压直插瓷片电容15KV来电咨询 迪一低损耗低漏电流

发布时间:2021-06-10 02:29:00        作者:同方迪一








同方迪一高压瓷介电容介绍

我们大部分电容器都是金属化电容,比如CBB22就是金属化聚丙稀薄膜电容, CL21属于金属化聚酯薄膜电容器,但瓷片电容很特殊,它是以陶瓷材料为介质的电容器,在陶瓷基体两面涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成,这种电容器*大的特点就是耐压高,普通的1KV、 2KV很常见,高-些的6KV、10KV也能做到。其容量损耗随温度频率具高稳定性,而且特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。所以在高温、高压环境下,瓷片电容都可以正常稳定工作。





高压电容器符号代表你知道多少?

高压电容器一般有BAM,BFM,BWF,BFF等系列,我们一般常见的是BAM系列。那么,在这么多系列中,这些英文字母代表了什么意思您知道吗?下面同方迪一给您简单的介绍一下。

首字母为系列代号,B表示的是并联电容器。

第二个字母为高压电容器中液体介质的代号,F表示的是二芳基乙,A表示的是苄基甲笨。使用苄基甲笨的高压电容会比较适合寒冷的区域。

第三个字母M为固体介质的代号,表示的是全膜介质。




同方迪一高压陶瓷电容器制作的关键五点

(1)原料要精选

影响高压陶瓷电容器质量的因素,除瓷料组成外,优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此,对原料既要考虑成本又要注意纯度,选择工业纯原料时,必须注意原料的适用性。

(2)熔块的制备

熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响,如熔块合成温度偏低,则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+,会阻碍轧膜工艺的进行:如合成温度偏高,使熔块过硬,会影响球磨效率:研磨介质的杂质引入,会降低粉料活性,导致瓷件烧成温度提高。

(3)成型工艺

成型时要防止厚度方向压力不均,坯体闭口气孔过多,若有较大气孔或层裂产生,会影响瓷体的抗电强度。

(4)烧成工艺

应严格控制烧成制度,采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

(5)包封

包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此,必须选择抗潮性好,与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前,大多选择环氧树脂,少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆,再用酚醛树脂包封方法的,这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。




高压瓷片电容生产工艺介绍

高压瓷片电容就是两块导体夹着一块绝缘体构成的电子元件.就像三明治一样,高压瓷片电容的测试过程中,首先是选料,主要是测试条件在25±5℃度之间,湿度为65±10%RH为标准,IQC检验进料都是按标准IEC60384来检测,再看此产品是否符合要求,并且试作每一种规格。

前期是:粉未;生胚;素片;银片,穿片;焊锡;涂装;打印;测试;包装

现在是导线;组合;焊锡;涂装;烘烤;打印;耐压测试,检测,工厂已全采用全自动线设备,每个工序都是使用的全自动化机器进行100%全检。

高压瓷片电容生产流程:




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