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整流桥HBS410信息推荐「在线咨询」

发布时间:2022-03-24 03:25:00        作者:同方迪一







同方迪一分享整流桥的主要参数

整流桥的本质是二极管,所以整流桥的主要参数与二极管类似。


①反向峰值电压(VRRM):整流桥能承受的反向电压*大值,超过此值,整流桥击穿。示例中GBJ2510反向峰值电压为1000V。

②平均整流电流(Io):整流桥长期工作时所能承受的流过的*大电流,超过这个值整流桥热击穿。示例中全系列整流桥的平均整流电流在带散热片的条件下为25A,不带散热片的条件下为4A。

③正向峰值浪涌电流(IFSM):整流桥能扛住的瞬间电流冲击*大值,超过此值,整流桥损坏。示例中全系列整流桥能在半个周期内扛住的*大冲击电流为320A。







同方迪一介绍整流桥选型计算实例


整流桥选型主要参考反向峰值电压和平均整流电流这两个参数,并且留有余量。具体如下:

整流桥的反向击穿电压应满足:≥1.5√2×Vin(max);

整流桥的平均整流电流应满足:≥5×P/Vin(min);

举例:设计一款交流输入电压范围为:90~265Vac,功率为30W的开关电源,整流桥选型应满足以下:

VRRM≥1.5√2×Vin(max)=1.5√2×265=750V

Io≥5×P/Vin(min)=5×30/90=1.67A

注:对于工作频率较高开关电源整流电路,要选择反向恢复时间短一点整流桥,根据经验公式:选择快速恢复整流二极管时候,反向恢复时间应该大于开关管上升时间的三分之一。







同方迪一解析整流桥堆四极区分方法有哪些?

1.整流桥堆的四个白电平的测量方法:在Du检测过程中,可以通过测量“ +”极与两个“ Dao”?之间的每个整流二极管的正向和反向电阻值来判断全桥是否损坏。 “极”,“一个”极和两个“?”极(与普通二极管相同)是正常的。 如果整个桥中二极管的正向和反向电阻均为零或无穷大,则可以判断该二极管已被开路击穿或损坏。

2.整流桥堆由两个或四个二极管组成。 桥桩分为三种:半桥,全桥和三相桥。 半桥有正半桥和负半桥两种。 桩桥的字符符号是ur。







同方迪一分享整流桥堆包装方式介绍


整流桥堆的包装方式

整流器堆栈包装有四种:方形桥,平桥,圆桥,芯片迷你桥;

方型桥主要包装有(BR3,BR6,BR8,gbpc,kbpc,kbpc-w,gbpc-w,mt-35(三相桥));

平板桥的主要软件包是kbp,KBL,kbu,kbj,GBU,GBJ和d3k;

圆桥主要包装有(WOB,WOM,Rb-1);

迷你桥的一包(BDS,MBS,MBF,ABS)。







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